介紹了年產(chǎn)300萬硅拋光片、60萬硅外延片，主要生產(chǎn)4~12英寸的硅拋光片以及6~8英寸的硅外延片的微電子工廠的氣體需求。主要有三氯氫硅、氯化氫、磷烷、乙硼烷、氫氣和氮?dú)?。特種氣體存放于進(jìn)口的特氣鋼瓶柜，氯化氫HCl、三氯氫硅SiHCl3鋼瓶柜各2個(gè)，磷烷PH3、乙硼烷B2H6各一個(gè)。 外延生長(zhǎng)：外延爐經(jīng)氯化氫和氮?dú)獯祾咔逑春?，通入三氯氫硅SiHCl3和氫氣H2，為了滿足硅片的電學(xué)性能，還要摻入50ppm的特種氣體磷烷PH3或乙硼烷B2H6，紅外加熱至1100~1200℃下，通過化學(xué)氣相沉積法在硅襯底材料上生長(zhǎng)一層與襯底材料具有相同晶格排列的單晶硅，形成單晶硅外延片。有99% 的三氯氫硅SiHCl3、磷烷PH3、乙硼烷B2H6參加反應(yīng)。此工序產(chǎn)生的廢氣主要是氯化氫，還有一些沒有反應(yīng)的磷烷PH3、乙硼烷B2H6和三氯氫硅SiHCl3；外延爐的石墨基座和石英夾套需要定期更換，產(chǎn)生廢石英和廢石墨。